超声波飞行传感器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010340857.3
IPC分类号：H01L41/113;H01L41/22
申请日期：
2020-04-26
申请人：
上海思立微电子科技有限公司

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著录项信息

专利名称	超声波飞行传感器及其制作方法
申请号	CN202010340857.3	申请日期	2020-04-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-12	公开/公告号	CN113644191A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L41/113 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L41/00 一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件（由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L41/08 压电器件或电致伸缩器件〔2〕 H01L41/113 带有机械输入与电输出的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;1;/;1;1;3;;;H;0;1;L;4;1;/;2;2查看分类表>
申请人	上海思立微电子科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区盛夏路560号2幢1003室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海思立微电子科技有限公司	当前权利人	上海思立微电子科技有限公司
发明人	梁骥;黄景泽;效烨辉;程泰毅
代理机构	上海思捷知识产权代理有限公司	代理人	王宏婧

摘要

本发明提供一种超声波飞行传感器及其制作方法，包括半导体衬底、设置于所述半导体衬底表面并开设有内洞的支撑层、覆盖所述内洞而设置于所述支撑层表面的弹性膜以及设置于所述内洞内并附着于所述弹性膜朝向内洞的表面的激励层，所述激励层呈图案化设计，包括第一电极层、第二电极层以及设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间的压电层。本发明采用半导体工艺制作超声波飞行传感器，实现超声波飞行传感器的微型化及易于集成化，帮助应用该超声波传感器的电子设备的体积实现微型化和轻薄化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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