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一种阵列基板及其制备方法、显示装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310452517.X
  • IPC分类号:H01L27/12;H01L21/84;H01L23/50;G02F1/1362;G02F1/1368
  • 申请日期:
    2013-09-27
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称一种阵列基板及其制备方法、显示装置
申请号CN201310452517.X申请日期2013-09-27
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2014-01-01公开/公告号CN103489876A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/12IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;3;/;5;0;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司
发明人孙双
代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司代理人申健
摘要
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可避免半色调掩模工艺的使用、简化工艺难度、节约成本。该制备方法包括通过一次构图工艺形成包括栅极的图案;在形成有包括栅极的图案的基板上形成栅绝缘层;通过一次构图工艺形成第一图案及其上方的第二图案;其中,第一图案与半导体有源层的图案对应,第二图案与源极和漏极对应;在形成有第二图案的基板上形成包括断开区域的图案层,断开区域与源极和漏极之间的间隙对应,其最小宽度大于源极和漏极之间的间隙的宽度,且至少将漏极露出;通过一次构图工艺至少形成包括源极和漏极的图案、以及通过断开区域与所述漏极电连接的像素电极。用于显示装置的制造。

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