一种HfxTa1-xC合金前驱体的制备方法及其得到的HfxTa1-xC合金

发明专利有效专利

申请号：
CN201611053755.3
IPC分类号：C04B35/56;C04B35/622;C08L85/00;C08G79/00
申请日期：
2016-11-25
申请人：
中国科学院化学研究所

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专利名称	一种HfxTa1-xC合金前驱体的制备方法及其得到的HfxTa1-xC合金
申请号	CN201611053755.3	申请日期	2016-11-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-04-26	公开/公告号	CN106588020A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/56 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/515 以非氧化物为基料的（C04B 35/50、C04B 35/51优先）〔6〕 C04B35/56 以碳化物为基料的〔4〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;5;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;8;L;8;5;/;0;0;;;C;0;8;G;7;9;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院化学研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北一街2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院化学研究所	当前权利人	中国科学院化学研究所
发明人	赵彤;邱文丰;鲁艳;叶丽;韩伟健
代理机构	北京元中知识产权代理有限责任公司	代理人	另婧

摘要

本发明涉及一种HfxTa1‑xC合金前驱体的制备方法及得到的HfxTa1‑xC合金。包括：1)将四氯化铪分散在溶剂中，滴入一元醇，再滴入三乙胺，滴加完毕回流，过滤，得铪醇盐溶液；2)向铪醇盐溶液中滴加螯合剂，滴完回流；再加入水和一元醇，滴完回流，减压蒸馏得聚铪氧烷；3)将五氯化钽分散在溶剂中，滴入一元醇，随后滴入三乙胺，滴加完毕回流，过滤，得钽醇盐溶液；4)向铪醇盐溶液中滴加螯合剂，滴完回流；再加入水和一元醇，滴完回流，减压蒸馏得聚钽氧烷；5)将聚铪氧烷、聚钽氧烷及烯丙基酚醛混合，得铪钽合金前驱体。本发明制备的合金前驱体溶解性优良，稳定储存期好，可作为纤维增强陶瓷基复合材料基体使用。

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