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高压CMOS结构的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN98124555.2
IPC分类号：--
申请日期：
1998-10-28
申请人：
日本电气株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高压CMOS结构的半导体器件及其制造方法
申请号	CN98124555.2	申请日期	1998-10-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1999-05-05	公开/公告号	CN1215926
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本神奈川县川崎市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	小林研也
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	王岳;叶恺东

摘要

一种第二导电型的晶体管为LMOS结构，和第一导电型的晶体管为LDMOS结构。第一导电型的晶体管具有漏极基层，其以与漏极偏置扩散层相同的方式作用，并且形成在与源极基础扩散层分离的衬底上。第一导电型的晶体管与第二导电型晶体管同样地具有稳定而高的击穿电压和低的通路电阻。

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