具有多样的金属硅化物的半导体元件

实用新型专利null

申请号：
CN200420089131.3
IPC分类号：--
申请日期：
2004-08-27
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有多样的金属硅化物的半导体元件
申请号	CN200420089131.3	申请日期	2004-08-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	林俊杰;李文钦;杨育佳;林全益;胡正明
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所	代理人	刘新宇

摘要

本实用新型提供一种具有多样的金属硅化物的半导体元件。该半导体元件包括一个半导体基底，一个位于基底的第一区的第一金属硅化物，以及一个位于基底的第二区的第二金属硅化物。其中，第一金属硅化物不同于第二金属硅化物。此外，第一金属硅化物和第二金属硅化物可以是一个合金金属硅化物。本实用新型能够在同一芯片不同型式的晶体管上形成具有不同功函数的金属硅化物，因而能够得到可靠的接触状况，并能解决现有技术的缺点。

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