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二次电池和制造二次电池的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010297584.5
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2010-09-30
  • 申请人:
    三星SDI株式会社
著录项信息
专利名称二次电池和制造二次电池的方法
申请号CN201010297584.5申请日期2010-09-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-04-27公开/公告号CN102035013A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人三星SDI株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星SDI株式会社当前权利人三星SDI株式会社
发明人赵允镜;金讚中;孙淑姃;张美英
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人张波
摘要
本发明提供一种二次电池和制造二次电池的方法,其防止了电极接片耦接到电极板时电极板被损害。该二次电池包括电极组件,该电极组件包括电极板和分隔体。该电极板包括耦接有正电极接片的正电极板和耦接有负电极接片的负电极板。该正电极接片和该负电极接片中的至少一个耦接到所述电极板的涂覆部分未应用到的非涂覆部分,且具有被保护部件围绕的末端和暴露于该保护部件外且耦接到该非涂覆部分的区域。

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