反向电平移动电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201310371651.7
IPC分类号：H03K19/0175
申请日期：
2013-08-23
申请人：
三菱电机株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	反向电平移动电路
申请号	CN201310371651.7	申请日期	2013-08-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-26	公开/公告号	CN103684402A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K19/0175 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K19/00 逻辑电路，即，至少有两个输入作用于一个输出的（用于应用模糊逻辑的计算机系统的电路入G06N 7/02）；倒向电路 H03K19/0175 耦合装置；接口装置（用于数字计算机的接口装置入G06F 3/00，G06F 13/00）〔5〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;9;/;0;1;7;5查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	仲岛天贵;今西元纪;堺宪治
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	何立波;张天舒

摘要

本发明涉及反向电平移动电路。对高侧基准电位的变动实现稳定的反向电平移动动作。利用将高侧基准电位作为基准电位而生成的第一和第二驱动信号对晶体管（HVPMOS1、HVPMOS2）进行驱动。将晶体管（HVPMOS1、HVPMOS2）的输出信号电压变换到低侧，生成第一和第二主信号以及第一和第二屏蔽信号。屏蔽信号产生电路（6）对高侧基准电位的变动以比第一和第二屏蔽信号高的灵敏度生成第三屏蔽信号。屏蔽逻辑电路（7）对第一屏蔽信号和第二屏蔽信号进行AND运算来生成第四屏蔽信号，用第三屏蔽信号和第四屏蔽信号这两者对第一和第二主信号进行屏蔽。SR触发电路（10）根据被屏蔽的第一和第二主信号生成输出信号。

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