一种新型上蜡机加热装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201420596590.4
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/683;H01L21/56
申请日期：
2014-10-15
申请人：
易德福

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种新型上蜡机加热装置
申请号	CN201420596590.4	申请日期	2014-10-15
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	易德福	申请人地址	江西省抚州市高新区金?大道198号孵化器创业园A7栋3楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西德义半导体科技有限公司	当前权利人	江西德义半导体科技有限公司
发明人	易德福;吴城
代理机构	北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	汤东凤

摘要

本实用新型涉及一种新型上蜡机加热装置，包括陶瓷盘，所述陶瓷盘上设置有可在三维空间移动的加热盘，所述加热盘直径大于晶片直径，所述陶瓷盘上方还设置有可在三维空间移动的真空吸盘，所述真空吸盘内设置有加热装置，所述加热盘的加热范围可以完整的覆盖一个晶片，相比于现有技术中整体加热，本新型更加节约能源，降低热量损失，提高热量利用率；所述真空吸盘内设置的加热装置，用于加热晶片，由于晶片非常薄，加热时间极短，陶瓷盘和晶片双向受热，节省加热时间，且贴片完成后即可移走晶片，不需冷却时间，不需保温动作，贴片完成即可移走晶片，省去保温动作和冷却时间，提高设备生产效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供