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一种半成品电池片抗PID性能的测试方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510794622.0
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L21/66
  • 申请日期:
    2015-11-18
  • 申请人:
    浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
著录项信息
专利名称一种半成品电池片抗PID性能的测试方法
申请号CN201510794622.0申请日期2015-11-18
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-04-06公开/公告号CN105470346A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司申请人地址
浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司当前权利人浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
发明人侯玥玥;蒋方丹;金井升;金浩
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人罗满
摘要
本申请公开了一种半成品电池片抗PID性能的测试方法,包括:将半成品电池片水平放置,在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水,观察所述去离子水自然扩散之后的形态,根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能。本申请提供的上述半成品电池片抗PID性能的测试方法,能够有效的测量半成品电池片的抗PID性能,且操作方便。

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