一种PVDF基聚合物薄膜的一步流延制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201810819357.0
IPC分类号：C08J5/18;C08L27/16
申请日期：
2018-07-24
申请人：
电子科技大学

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专利名称	一种PVDF基聚合物薄膜的一步流延制备方法
申请号	CN201810819357.0	申请日期	2018-07-24
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-07	公开/公告号	CN108948390A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08J5/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08J 加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理（塑料的加工，如成型入B29）〔2〕 C08J5/00 含有高分子物质的制品或成形材料的制造（半透膜的制造入B01D 67/00至B01D 71/00）〔2〕 C08J5/18 薄膜或片材的制造〔2〕	IPC分类号	C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;L;2;7;/;1;6查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	杜晓松;吴玉明;李吉蒙;李海洲;黎威志;太惠玲;谢光忠
代理机构	成都点睛专利代理事务所（普通合伙）	代理人	葛启函

摘要

一种PVDF基聚合物薄膜的一步流延制备方法，属于功能材料制备技术领域。本发明将PVDF基聚合物溶液流延在经亲水改性后的基板上，利用基板上亲水基团与聚合物中氟原子之间的氢键作用，使得PVDF基聚合物的第一层分子有序排列在基板上，并进一步诱导PVDF基聚合物中极性相的后续各层分子在基板上实现逐层静电自组装，然后经固化处理得到偶极子排列有序的PVDF基聚合物薄膜，本发明在一步流延过程中即可实现铁电聚合物薄膜的自发极化，无需传统流延成膜、拉伸和极化三步工艺，避免极化时薄膜击穿的风险，简化了生产流程，减少了设备投入，相比现有工艺具有简单高效、成本低廉的优势，非常有利于推进压电、热释电聚合物薄膜的工业化生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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