一种在金属基底上形成织构外延膜的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200310117384.7
IPC分类号：C23C18/12;H01L39/24
申请日期：
2003-12-12
申请人：
清华大学;北京英纳超导技术有限公司

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专利名称	一种在金属基底上形成织构外延膜的方法
申请号	CN200310117384.7	申请日期	2003-12-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-11-17	公开/公告号	CN1546725
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C18/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C18/00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆）；接触镀〔4，2006.01〕 C23C18/02 热分解法〔4〕 C23C18/12 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;8;/;1;2;;;H;0;1;L;3;9;/;2;4查看分类表>
申请人	清华大学;北京英纳超导技术有限公司	申请人地址	北京市－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,北京英纳超导技术有限公司	当前权利人	清华大学,北京英纳超导技术有限公司
发明人	王三胜;陈胜;韩征和;刘莉
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种直接在在金属基底上形成织构外延膜的方法，属于超导材料制备技术领域。其工艺过程依次为金属基带轧制，制备涂膜溶液，在轧制金属基带上涂膜，加温使涂层热解成相形成织构缓冲层和织构基底。本发明提供的这种工艺方法的优越性在于，将传统的轧制金属基带织构形成和缓冲层织构形成两步工艺合成为一步工艺，这样可以大大的简化工艺，避免两步工艺中为了在金属基带中预先形成双轴织构而必须进行的高温热退火处理所带来的一系列问题。本方法重复性好，成本低廉，可以广泛应用于超导、铁电、光电子薄膜的制备。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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