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图像传感装置、其形成方法及半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710153619.6
  • IPC分类号:H01L27/146;H01L21/822
  • 申请日期:
    2007-09-07
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称图像传感装置、其形成方法及半导体装置
申请号CN200710153619.6申请日期2007-09-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-09-10公开/公告号CN101262000
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人刘汉琦;张中玮;伍寿国;翁烔城;柯钧耀
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人陈晨
摘要
本发明提供一种图像传感装置、其形成方法及半导体装置,该图像传感装置包括:半导体基底,其具有第一类型导电性;半导体层,其具有该第一类型导电性,该半导体层在该半导体基底上方;以及多个像素,在该半导体层中;其中该半导体层包括第一深阱区及第二深阱区,该第一深阱区具有该第一类型导电性,该第一深阱区在该多个像素下方,该第二深阱区具有第二类型导电性,该第二类型导电性与该第一类型导电性不同,且该第二深阱区在该第一深阱区下方。本发明提供高效率且有成本效益的装置及其形成方法,可以降低串音干扰。

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