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半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911174508.2
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2019-11-26
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其形成方法
申请号CN201911174508.2申请日期2019-11-26
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-28公开/公告号CN112864016A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人周飞
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人徐文欣
摘要
一种半导体结构及其形成方法,提供衬底,衬底上具有鳍部,鳍部沿第一方向延伸,鳍部上包括多个第一区和至少一个第二区,第二区位于相邻的两个第一区之间;在衬底上形成第一隔离层,第一隔离层覆盖鳍部部分侧壁,第一隔离层表面低于鳍部顶部表面;在各第一区上分别形成横跨鳍部的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧鳍部中的源漏掺杂区,第一栅极结构覆盖鳍部部分侧壁与顶部表面;在第二区内形成第二隔离层,第二隔离层沿第二方向贯穿鳍部;在第二隔离层上形成第二栅极结构。通过在第二隔离层上形成第二栅极结构,利用第二栅极结构中的金属材料具有较好的导热性能,能够将半导体结构产生的热能及时有效的导出,有效提升半导体结构的性能。

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