钌合金溅射靶

发明专利有效专利

申请号：
CN200680021642.3
IPC分类号：C23C14/34;B22F3/00;H01L21/285
申请日期：
2006-05-16
申请人：
日矿金属株式会社

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著录项信息

专利名称	钌合金溅射靶
申请号	CN200680021642.3	申请日期	2006-05-16
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-06-11	公开/公告号	CN101198717
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;B;2;2;F;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5查看分类表>
申请人	日矿金属株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	捷客斯金属株式会社	当前权利人	捷客斯金属株式会社
发明人	小田国博
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	王海川;樊卫民

摘要

一种钌合金溅射靶，通过将钌粉末和比钌更容易形成氧化物的金属粉末的混合粉末进行烧结而得到，其中，除气体成分外的靶纯度为99.95重量％以上，含有5原子％至60原子％的比钌更容易形成氧化物的金属，相对密度为99％以上，作为杂质的氧含量为1000ppm以下。本发明的课题在于提供一种钌合金溅射靶，所述溅射靶能够减少钌合金溅射靶中存在的氧，减少溅射时电弧放电或颗粒的产生，提高烧结密度从而提高靶强度，并且为了防止在Si半导体中微量添加的B及P的组成变动而严格限制靶中的B及P杂质量，从而提高成膜的质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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