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一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910450346.4
  • IPC分类号:C01G3/12
  • 申请日期:
    2019-05-28
  • 申请人:
    昆明理工大学;重庆交通大学
著录项信息
专利名称一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法
申请号CN201910450346.4申请日期2019-05-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-08-16公开/公告号CN110127749A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G3/12IPC分类号C;0;1;G;3;/;1;2查看分类表>
申请人昆明理工大学;重庆交通大学申请人地址
云南省昆明市五华区学府路253号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昆明理工大学,重庆交通大学当前权利人昆明理工大学,重庆交通大学
发明人王明均;张朝良;谭亮;李晓燕;龚伟志;罗亮;余荣芬
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法,属于纳米材料技术领域。本发明将强碱、表面活性剂、单质铜、水合肼、硫化钠与水混合均匀,在密封条件下匀速升温至温度为180~220℃并恒温反应22~24 h得到反应体系;反应体系冷却至室温,离心分离,去除上层清液,再采用去离子水洗涤至洗涤液为中性,干燥即得硫化亚铜纳米花。本发明方法反应条件温和、产率高、产物形貌比较均匀而且重复性好,制得的硫化亚铜纳米花的平均粒径为700 nm~1.9μm,组成纳米花的纳米片的平均粒径为400 nm左右;本发明硫化亚铜纳米花具有分级结构和含铜缺陷,可应用在光催化剂、太阳能电池、电化学储能器件和传感器等领域。

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