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像元级ADC焦平面读出电路及其校正方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010862963.8
  • IPC分类号:H04N5/378H04N5/217
  • 申请日期:
    2020-08-25
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第二十四研究所
著录项信息
专利名称像元级ADC焦平面读出电路及其校正方法
申请号CN202010862963.8申请日期2020-08-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-11-24公开/公告号CN111988548A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H04N5/378IPC分类号H04N5/378;H04N5/217查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第二十四研究所申请人地址
重庆市南岸区南坪花园路*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第二十四研究所当前权利人中国电子科技集团公司第二十四研究所
发明人黄文刚;曾岩;高炜琪
代理机构重庆辉腾律师事务所代理人暂无
摘要
本发明用于焦平面读出电路设计,具体为像元级ADC焦平面读出电路及其校正方法;所述读出电路包括光电探测器、电流控制振荡器、计数器、静态随机存取存储器、移位寄存器和数据总线,光电探测器的输出端连接电流控制振荡器的输入端;电流控制振荡器的输出端连接计数器的输入端;计数器的另一个输入端连接静态随机存取存储器的输出端,且计数器的输出端连接到移位寄存器的输入端上;静态随机存取存储器的另一个输出端连接电流控制振荡器的反馈输入端;静态随机存取存储器的输入端连接移位寄存器的另一个输出端;移位寄存器上连接有数据总线并输出转换后的电流信号大小;本发明实现方式简单,不需要额外运算资源,不增加系统功耗;且利于实时处理。

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