镁合金微弧氧化膜层的去除方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110482951.7
IPC分类号：C23G1/06;C23G1/12;C23F3/03
申请日期：
2021-04-30
申请人：
上海交通大学

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著录项信息

专利名称	镁合金微弧氧化膜层的去除方法
申请号	CN202110482951.7	申请日期	2021-04-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-10	公开/公告号	CN113373451A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23G1/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23G 电解法除外的化学法金属材料清洗及除油（抛光组合物入C09G；一般洗涤剂入C11D） C23G1/00 用溶液或熔融盐清洗或酸洗金属材料（用有机溶剂入C23G 5/02） C23G1/02 用酸溶液 C23G1/04 用缓蚀剂 C23G1/06 有机缓蚀剂	IPC分类号	C;2;3;G;1;/;0;6;;;C;2;3;G;1;/;1;2;;;C;2;3;F;3;/;0;3查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市闵行区东川路800号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海交通大学	当前权利人	上海交通大学
发明人	董帅;聂照;邓泽;钱辰;师春晓;董杰
代理机构	上海伯瑞杰知识产权代理有限公司	代理人	范艳静

摘要

本发明提供了一种镁合金微弧氧化膜层的去除方法，该去除方法包括：将需要退膜的镁合金微弧氧化样品放入含有微弧氧化膜层的退膜溶液的处理槽中，之后置于去离子水中进行水洗，去除试样表面的腐蚀产物，得到已退膜试样；将已退膜试样置入含光亮剂的处理槽中，置于去离子水中进行水洗，并烘干，得到光亮的去除微弧氧化膜的镁合金试样；本发明采用微弧氧化膜层去除工艺，镁合金基体表面平整光滑，基体表面无残余膜层及其它腐蚀产物产生，可直接进行二次微弧氧化；该膜层的去除方法退膜速度快且退膜溶液不含环保限制元素、成分简单、成本低廉；本发明的微弧氧化膜层的退膜方法简单，与常规的通过打磨方法去除膜层的方法相比，去除效率高、操作方便。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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