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一种半导体芯片正面铝层可焊化方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910228034.9
  • IPC分类号:H01L21/285;C23C14/30;C23C14/16;C23C14/04
  • 申请日期:
    2019-03-25
  • 申请人:
    华中科技大学;浙江正邦电子股份有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体芯片正面铝层可焊化方法
申请号CN201910228034.9申请日期2019-03-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-07-19公开/公告号CN110034016A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/285IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;C;2;3;C;1;4;/;3;0;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;0;4查看分类表>
申请人华中科技大学;浙江正邦电子股份有限公司申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学,浙江正邦电子股份有限公司当前权利人华中科技大学,浙江正邦电子股份有限公司
发明人梁琳;颜小雪;康勇;李有康;项卫光
代理机构华中科技大学专利中心代理人曹葆青;李智
摘要
本发明属于双面散热半导体领域,更具体地,涉及一种半导体芯片正面铝层可焊化方法,特别涉及一种宽禁带垂直功率半导体器件的正面电极可焊化工艺方法。其通过首先采用湿法腐蚀去除芯片正面粘合性较差的自然氧化铝层,然后再依次蒸发镀金属Ti、Ni、Ag,该金属化方法不仅使得处理后的芯片具有良好的导电性,又使商用半导体芯片从单面可焊接改进为双面可焊接,有利于实现双面散热,提高半导体模块的功率密度的同时还可改善半导体封装的可靠性。

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