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使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110040479.8
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2006-12-15
  • 申请人:
    瑞萨电子株式会社
著录项信息
专利名称使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法
申请号CN201110040479.8申请日期2006-12-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-05-25公开/公告号CN102073224A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人瑞萨电子株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人奥野满;茂庭明美
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人李浩;高为
摘要
本发明涉及使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法,该图形形成方法,包括具有第一最小尺寸(Dmin1)的第一图形部(10a)和第二最小尺寸(Dmin2)的第二图形部(10b),其中包括使用利文森型掩模进行曝光的第一曝光步骤和使用半色调型掩模进行曝光的第二曝光步骤。第二最小尺寸(Dmin2)为第一最小尺寸(Dmin1)的1.3倍以上时,第二曝光步骤的曝光量设为第一曝光步骤的曝光量以下。

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