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基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811100437.7
  • IPC分类号:C30B29/16;C30B15/34;H01S3/16
  • 申请日期:
    2018-09-20
  • 申请人:
    南京同溧晶体材料研究院有限公司
著录项信息
专利名称基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料及其制备方法
申请号CN201811100437.7申请日期2018-09-20
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-01-11公开/公告号CN109183152A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B29/16IPC分类号C;3;0;B;2;9;/;1;6;;;C;3;0;B;1;5;/;3;4;;;H;0;1;S;3;/;1;6查看分类表>
申请人南京同溧晶体材料研究院有限公司申请人地址
江苏省南京市溧水区东屏镇金港路22号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京同溧晶体材料研究院有限公司当前权利人南京同溧晶体材料研究院有限公司
发明人沈荣存
代理机构南京中律知识产权代理事务所(普通合伙)代理人沈振涛
摘要
本发明属于人工晶体领域,具体涉及一种基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料及其制备方法,所述基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料以宽禁带半导体材料氧化镓为基质材料,其禁带宽度为4.9ev,处于紫外光波段,对于紫外光具有良好的光谱吸收和响应,在氧化镓中掺杂钛掺杂的石墨烯量子点,光照下,氧化镓半导体材料吸收并产生的电子空穴对,在结势垒电场的作用下,电子或空穴将会注入石墨烯量子点内,石墨烯内载流子浓度随之发生变化,进而大大改变晶体材料的电阻率,适用于紫外探测等领域。

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