基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811100437.7
IPC分类号：C30B29/16;C30B15/34;H01S3/16
申请日期：
2018-09-20
申请人：
南京同溧晶体材料研究院有限公司

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专利名称	基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料及其制备方法
申请号	CN201811100437.7	申请日期	2018-09-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-11	公开/公告号	CN109183152A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;6;;;C;3;0;B;1;5;/;3;4;;;H;0;1;S;3;/;1;6查看分类表>
申请人	南京同溧晶体材料研究院有限公司	申请人地址	江苏省南京市溧水区东屏镇金港路22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京同溧晶体材料研究院有限公司	当前权利人	南京同溧晶体材料研究院有限公司
发明人	沈荣存
代理机构	南京中律知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	沈振涛

摘要

本发明属于人工晶体领域，具体涉及一种基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料及其制备方法，所述基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料以宽禁带半导体材料氧化镓为基质材料，其禁带宽度为4.9ev，处于紫外光波段，对于紫外光具有良好的光谱吸收和响应，在氧化镓中掺杂钛掺杂的石墨烯量子点，光照下，氧化镓半导体材料吸收并产生的电子空穴对，在结势垒电场的作用下，电子或空穴将会注入石墨烯量子点内，石墨烯内载流子浓度随之发生变化，进而大大改变晶体材料的电阻率，适用于紫外探测等领域。

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