具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610962355.8
IPC分类号：--
申请日期：
2016-10-28
申请人：
力成科技股份有限公司

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专利名称	具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造及制造方法
申请号	CN201610962355.8	申请日期	2016-10-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-12	公开/公告号	CN107154387A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	力成科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	力成科技股份有限公司	当前权利人	力成科技股份有限公司
发明人	方立志;张家彰;徐宏欣;张文雄;鍾基伟;连加雯
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	马雯雯;臧建明

摘要

本发明公开了一种具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造及制造方法。该封装构造，主要包含装置晶片、贴合于装置晶片的载体晶片、保护盖片以及硅穿孔结构。一金属互连平行垫组合嵌埋于装置晶片中，偏移垫设置于装置晶片并连接至金属互连平行垫组合。间隔导体凸块接合于偏移垫上。间隔黏合层形成于装置晶片上并包覆间隔导体凸块。保护盖片压贴于间隔黏合层上。硅穿孔结构包含一贯穿孔以及一孔金属层，贯穿孔微偏心地对准偏移垫连续贯穿载体晶片与装置晶片，孔金属层形成于贯穿孔内并连接偏移垫，贯穿孔非中心对准于间隔导体凸块。保护层形成于载体晶片并覆盖贯穿孔。因此，借由偏移垫上间隔导体凸块，以确保硅穿孔结构的连续型态。

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