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一种基于二维半导体晶体的栅控PN结

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410265121.9
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L29/43
  • 申请日期:
    2014-06-13
  • 申请人:
    上海交通大学
著录项信息
专利名称一种基于二维半导体晶体的栅控PN结
申请号CN201410265121.9申请日期2014-06-13
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-10-01公开/公告号CN104078508A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;3查看分类表>
申请人上海交通大学申请人地址
广东省广州市南沙区南沙街道南林路一巷73号之四103房(仅限办公) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东芯聚能半导体有限公司当前权利人广东芯聚能半导体有限公司
发明人刘景全;郭杰
代理机构上海汉声知识产权代理有限公司代理人郭国中
摘要
本发明涉及一种基于二维半导体晶体的栅控PN结,包括:栅区、源区、漏区、沟道区和衬底。本发明采用对离子导电、对电子绝缘的固态多孔材料作为栅介质层,所述栅介质同时含有正、负两种离子。栅介质与沟道区的界面形成一个理论厚度只有1nm的双电层电容,使得器件可以在较低的栅压下对沟道区静电掺杂。本发明采用分离栅电极结构,通过控制第一栅电极和第二栅电极的电压极性,本发明器件可以实现NP、PN、NN、PP等多种构造。

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