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半导体器件的器件层制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910198098.5
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/28
  • 申请日期:
    2009-10-29
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件的器件层制作方法
申请号CN200910198098.5申请日期2009-10-29
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2011-05-11公开/公告号CN102054697A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人赵猛
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司代理人牛峥;王丽琴
摘要
本发明公开了一种半导体器件的器件层制作方法,该方法包括:在半导体器件衬底上形成栅极后,在栅极侧壁形成氮化层;在所述栅极表面及半导体衬底表面沉积再氧化层后,对栅极和半导体衬底进行轻掺杂;形成所述栅极的氮氧化物侧墙后,对栅极和半导体器件衬底进行掺杂,在半导体器件沉积形成漏极和源极;采用自对准硅化物方法在栅极表面和半导体衬底沉积金属,形成金属化硅层,然后进行快速退火处理后,刻蚀掉未反应的金属。本发明提供的方法消除了因“微笑”型氧化现象而造成的对器件性能变化范围及开关性能产生影响。

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