一种抗辐照隔离器片上电容

发明专利有效专利

申请号：
CN202211117520.1
IPC分类号：H01L49/02;H01L23/552;H01L23/522
申请日期：
2022-09-14
申请人：
北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所

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著录项信息

专利名称	一种抗辐照隔离器片上电容
申请号	CN202211117520.1	申请日期	2022-09-14
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-22	公开/公告号	CN115377289A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L49/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L49/00 不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L49/02 薄膜或厚膜器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;9;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人	北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所	申请人地址	北京市丰台区东高地四营门北路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所	当前权利人	北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
发明人	杨佳音;陈雷;张龙;李虎明;蒋敏强;王瑾;赵洁
代理机构	中国航天科技专利中心	代理人	程何

摘要

一种抗辐照隔离器片上电容，尤其涉及一种宇航级隔离器芯片的抗辐照高耐压片上电容结构，属于隔离器芯片领域。所述隔离电容包括信号输入极板、信号输出极板以及两极板之间的隔离介质。所述输入极板与所述输出极板组成相互交错、垂直方向无重合的跨平面片上电容。所述极板隔离介质为耐高压、长寿命、性质稳定的绝缘材料。本发明采用片上跨平面电容替代现有隔离器中采用上下极板结构的平板电容，避免准垂直入射的高能粒子引起瞬态穿通。解决了现有电容型隔离器中片上电容抗单粒子效应能力差的问题。

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