一种光源的聚光结构以及聚光型COB光源

发明专利无效专利

申请号：
CN201310393047.4
IPC分类号：H01L33/58
申请日期：
2013-09-02
申请人：
惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司

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著录项信息

专利名称	一种光源的聚光结构以及聚光型COB光源
申请号	CN201310393047.4	申请日期	2013-09-02
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-18	公开/公告号	CN104425691A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/58 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/58 光场整形元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;8查看分类表>
申请人	惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司	申请人地址	广东省惠州市大亚湾西区工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司	当前权利人	惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司
发明人	雷训金;董宗雷
代理机构	广州三环专利代理有限公司	代理人	温旭

摘要

本发明涉及COB光源设计领域，公开了一种聚光型COB光源，包括基板、LED芯片、聚光结构；所述LED芯片设置在所述基板上，并且通过连接线与所述基板电性连接；所述聚光结构固定在所述LED芯片的顶面；所述聚光结构包括第一透镜、第二透镜；所述第二透镜设置在所述第一透镜垂直方向的顶部。应用该技术方案可以实现COB光源的聚光效果，同时组装工序更简单，组装成本更低，组装效率更高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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