具有低导通电阻的MOS器件的几何图形

发明专利有效专利

申请号：
CN201210147239.2
IPC分类号：H01L27/02;H01L29/78;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/8234
申请日期：
2007-12-26
申请人：
马维尔国际贸易有限公司

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著录项信息

专利名称	具有低导通电阻的MOS器件的几何图形
申请号	CN201210147239.2	申请日期	2007-12-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-03	公开/公告号	CN102709285A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4查看分类表>
申请人	马维尔国际贸易有限公司	申请人地址	巴巴多斯圣迈克尔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	马维尔国际贸易有限公司	当前权利人	马维尔国际贸易有限公司
发明人	塞哈特·苏塔迪嘉;拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	酆迅;张宁

摘要

本发明公开了一种具有低导通电阻的MOS器件的几何图形。公开了一种在衬底上形成的金属氧化物半导体(MOS)器件以及一种用于形成该MOS器件的方法。MOS器件包括：漏极区；围绕漏极区的栅极区；源极区，这些源极区被布置在栅极区周围并且与漏极区相对；以及体区，这些体区被布置在栅极区周围并且分隔源极区。栅极区被形成为环绕在漏极区的周围。以此方式，降低了MOS器件的导通电阻(Ron)，而不增加MOS器件的面积。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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