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利用激光剥离技术制造发光二极管的方法和激光剥离装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010003739.X
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2010-01-12
  • 申请人:
    首尔OPTO仪器股份有限公司
著录项信息
专利名称利用激光剥离技术制造发光二极管的方法和激光剥离装置
申请号CN201010003739.X申请日期2010-01-12
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2011-04-06公开/公告号CN102005517A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人首尔OPTO仪器股份有限公司申请人地址
韩国京畿道安山市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人首尔伟傲世有限公司当前权利人首尔伟傲世有限公司
发明人金彰渊;李俊熙;柳宗均;金华睦
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人郭鸿禧;李娜娜
摘要
本发明公开了一种利用激光剥离技术制造发光二极管的方法。所述方法包括以下步骤:在第一基板上生长外延层,所述外延层包括第一导电类型化合物半导体层、活性层和第二导电类型化合物半导体层;在高于室温的第一基板的第一温度,将与第一基板的热膨胀系数不同的第二基板结合到外延层;在高于室温但不高于第一温度的第一基板的第二温度,通过使激光束辐照通过第一基板,将第一基板与外延层分离。因而,在激光剥离过程中,可以容易地实现对激光束的聚焦,并且防止外延层破裂或折断。本发明还公开了一种包括加热器的激光剥离装置。

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