一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010114721.7
IPC分类号：C04B35/622;C04B35/565
申请日期：
2010-02-26
申请人：
湖南大学

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专利名称	一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法
申请号	CN201010114721.7	申请日期	2010-02-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-08	公开/公告号	CN101823884A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/622 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/622 形成工艺；准备制造陶瓷产品的无机化合物的加工粉末〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;5;6;5查看分类表>
申请人	湖南大学	申请人地址	湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖南大学	当前权利人	湖南大学
发明人	肖汉宁;郭文明;高朋召
代理机构	长沙正奇专利事务所有限责任公司	代理人	马强

摘要

本发明公开了一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法。它通过多次真空浸渍含碳化硅微粉和聚碳硅烷的浆料，使普通再结晶碳化硅制品的开口气孔大部分被填充。聚碳硅烷在高温下裂解并形成碳化硅结晶，保持了再结晶碳化硅制品高纯度的特点。用该方法制备的高密度再结晶碳化硅制品的体积密度为2.85～2.95g/cm3，开口气孔率3～5％，室温抗弯强度为110～130MPa，1400℃的高温抗弯强度为130～150MPa；还显著提高了制品的高温抗氧化能力，延长了使用寿命，可望扩大其作为高温结构材料的应用范围。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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