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改善有缺陷的半导体材料质量的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410077160.2
IPC分类号：H01L21/322
申请日期：
2004-09-10
申请人：
国际商业机器公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	改善有缺陷的半导体材料质量的方法
申请号	CN200410077160.2	申请日期	2004-09-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-06-01	公开/公告号	CN1622294
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/322 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/322 改善其内部性能的，例如产生内部缺陷〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;2查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	开曼群岛大开曼岛变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯公司	当前权利人	格芯公司
发明人	斯蒂芬·W·比戴尔;基思·E·佛格尔;谢里斯·纳拉斯赫姆哈
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

提供了一种方法，其中，对有缺陷的半导体晶体材料执行非晶化步骤，随之以热处理步骤。非晶化步骤使有缺陷的半导体晶体材料的包括表面区的区域部分或完全非晶化。然后执行热处理步骤，以便使有缺陷的半导体晶体材料的非晶化区域再结晶。在本发明中，利用从有缺陷的半导体晶体材料的非非晶化区域的固相晶体再生长，达到了再结晶。

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