一种芯片故障检测方法及装置

1.一种芯片故障检测方法，其特征在于，包括：
在待检测芯片启动过程中，当待检测芯片的实际供电电压值达到预设的供电电压值时，确定此时为一个检测点；
检测待检测芯片在此时的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，若未处于，将该检测点确定为一个不满足条件的检测点；
当存在至少一个不满足条件的检测点时，判定所述待检测芯片处于故障状态；
其中，检测待检测芯片在此时的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，具体包括：
第一比较器的负极输入端接收在确定出的该检测点处对应的供电电压值，正极输入端接收所述待检测芯片的实际供电电压值；
第二比较器的负极输入端接收所述待检测芯片的实际吸收电流值，正极输入端接收在确定出的检测点处，规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的上限值，并通过输出端输出第一比较结果至第一触发器的D输入端；
第三比较器的负极输入端接收在该检测点处，规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的下限值，正极输入端接收所述待检测芯片的实际吸收电流值，并通过输出端输出第二比较结果至第二触发器的D输入端；
当待检测芯片的实际供电电压值达到在确定出的检测点处对应的供电电压值时，第一比较器触发第一触发器的Q输出端输出第一触发器的D输入端接收到的第一比较结果，并触发第二触发器的Q输出端输出第二触发器的D输入端接收到的第二比较结果；
若所述第一比较结果和第二比较结果均为1，确定待检测芯片在此时的实际吸收电流值处于规定的取值范围之内；若所述第一比较结果和第二比较结果中，至少一个不为1时，确定待检测芯片在此时的实际吸收电流值不处于规定的取值范围之内。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，按照如下公式规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的取值范围：
Imax=I*(1+r1)；Imin=I*(1-r2)，其中：
I表示在确定出的检测点处，所述待检测芯片处于正常工作状态时的实际吸收电流值；
r1表示预设的、允许实际吸收电流值出现的第一误差率，r2表示预设的、允许实际吸收电流值出现的第二误差率；
Imax表示在确定出的检测点处，规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的上限值；
Imin表示在确定出的检测点处，规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的下限值。
3.一种芯片故障检测装置，其特征在于，包括电流转化单元，判定单元和至少一个检测单元，各检测单元之间采用并联方式连接，其中：
所述电流转化单元，用于将待检测芯片的实际供电电压值转化为实际吸收电流值输出；
每一个检测单元，用于在待检测芯片启动过程中，当待检测芯片的实际供电电压值达到预设的供电电压值时，确定此时为一个检测点；并检测待检测芯片在此时的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，若未处于，将该检测点确定为一个不满足条件的检测点；
所述判定单元，用于当存在至少一个不满足条件的检测点时，判定所述待检测芯片处于故障状态；
其中，所述每一个检测单元，包括第一比较器，第二比较器，第三比较器，第一触发器、第二触发器和确定模块：
所述第一比较器的负极输入端用于接收在确定出的检测点处对应的供电电压值，正极输入端用于接收所述待检测芯片的实际供电电压值，输出端用于在待检测芯片的实际供电电压值达到在该检测点处对应的供电电压值时，触发第一触发器的Q输出端输出第一触发器的D输入端接收到的第一比较结果，并触发第二触发器的Q输出端输出第二触发器的D输入端接收到的第二比较结果；
所述第二比较器的负极输入端用于接收所述电流转化单元输出的、所述待检测芯片的实际吸收电流值，正极输入端用于接收在确定出的检测点处，规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的上限值，输出端用于将第一比较结果输出至所述第一触发器的D输入端；
所述第三比较器的负极输入端用于接收在该检测点处，规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的下限值，正极输入端用于接收所述电流转化单元输出的、所述待检测芯片的实际吸收电流值，输出端用于将第二比较结果输出至所述第二触发器的D输入端；
确定模块，用于在所述第一比较结果和第二比较结果均为1时，确定待检测芯片在此时的实际吸收电流值处于规定的取值范围之内；在所述第一比较结果和第二比较结果中，至少一个不为1时，确定待检测芯片在此时的实际吸收电流值不处于规定的取值范围之内。
4.如权利要求3所述的检测装置，其特征在于，
所述检测单元，具体用于按照如下公式规定实际吸收电流值的取值范围：
Imax=I*(1+r1)；Imin=I*(1-r2)，其中：
I表示在确定出的检测点处，所述待检测芯片处于正常工作状态时对应的实际吸收电流值；
r表示预设的、允许实际吸收电流值出现的第一误差率，r2表示预设的、允许实际吸收电流值出现的第二误差率；
Imax表示在确定出的检测点处，规定所述待检测芯片的吸收电流值的上限值；
Imin表示在确定出的检测点处，规定所述待检测芯片的吸收电流值的下限值。
5.如权利要求3所述的检测装置，其特征在于，所述电流转化单元，包括阻值为1欧姆的固定电阻和减法器，其中：
所述固定电阻与所述待检测芯片串联，所述减法器的两个输入端分别与所述固定电阻相连。
6.如权利要求3所述的检测装置，其特征在于，所述电流转化单元为电流传感器。

一种芯片故障检测方法及装置\n技术领域\n[0001] 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片故障检测方法及装置。\n背景技术\n[0002] 目前，电子产品或者电子设备中都包含有大量的芯片，电子产品或者电子设备的正常工作需要依赖于这些芯片。如果在运行过程中，某一芯片处于故障状态，将影响电子产品或者电子设备的正常工作。现有技术中，检测芯片是否处于故障状态的检测方式为：先停止电子产品或者电子设备的工作，将待检测芯片取出，借助专门的芯片检测仪器进行检测。\n对于芯片是否处于故障状态的判定，主要是以芯片的启动电流为依据的，这是由于芯片正常工作时，在其启动过程中的电流，是符合一条特定的I(电流)V(电压)曲线变化的，如果其启动电流曲线偏差超过一定范围，则判定该芯片处于故障状态。对于单颗孤立的芯片，最常用的检测设备是图示仪，其检测原理为：通过给待检测芯片提供一个由低到高变化的电压，来测量其对应不同供电电压值时，待检测芯片的吸收电流值的大小，并以曲线形式进行显示，将显示的IV曲线与正常工作芯片的IV曲线进行比较，判定待检测芯片是否处于故障状态。\n[0003] 基于此，现有技术中，主要有以下三种检测方案：1、X射线透视：采用X光透视芯片内部，查看芯片内部电路是否出现异常；2、图示仪测量IV(电压)：利用专门的检测仪器，产生一个变化的电压供给芯片，并对应电压的变化，测量芯片电流的变化，以IV曲线形式进行显示，并与正常芯片的IV曲线进行比较，以此判断芯片是否处于故障状态；3、切割芯片：\n通过拆解芯片内部结果，在显微镜下，对拆解后的芯片内部电路进行查看，以确定芯片是否处于故障状态。\n[0004] 由于上述三种方案中，均需要借助专门检测仪器对芯片进行检测，其前提条件是包含待检测芯片的电子产品或者电子设备需要停止工作，这样，就影响了相关的电子产品或者电子设备的正常运行。\n发明内容\n[0005] 本发明实施例提供一种芯片故障检测方法及装置，用以在电子产品或者电子设备正常运行的前提下，检测该电子产品或者电子设备包含的芯片是否处于故障状态。\n[0006] 本发明实施例提供一种芯片检测方法，包括：\n[0007] 在待检测芯片启动过程中，当待检测芯片的实际供电电压值达到预设的供电电压值时，确定此时为一个检测点；\n[0008] 检测待检测芯片在此时的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，若未处于，将该检测点确定为一个不满足条件的检测点；\n[0009] 当存在至少一个不满足条件的检测点时，判定所述待检测芯片处于故障状态。\n[0010] 本发明实施例提供一种芯片检测装置，包括电流转化单元，判定单元和至少一个检测单元，各检测单元之间采用并联方式连接，其中：\n[0011] 所述电流转化单元，用于将待检测芯片的实际供电电压值转化为实际吸收电流值输出；\n[0012] 每一个检测单元，用于在待检测芯片启动过程中，当待检测芯片的实际供电电压值达到预设的供电电压值时，确定此时为一个检测点；并检测待检测芯片在此时的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，若未处于，将该检测点确定为一个不满足条件的检测点；\n[0013] 所述判定单元，用于当存在至少一个不满足条件的检测点时，判定所述待检测芯片处于故障状态。\n[0014] 本发明实施例提供的芯片故障检测方法及装置，在待检测芯片启动过程中，当该待检测芯片的实际供电电压值达到该检测点处对应的供电电压值时，确定此时为一个检测点，如果检测该待检测芯片在此时的实际吸收电流值不处于规定的取值范围之内时，将该检测点作为一个不满足条件的监测点，若存在至少一个不满足条件的检测点时，则判定该待检测芯片处于故障状态。这样，无需包含该待检测芯片的电子产品或者电子设备停止工作，在待检测芯片启动过程中即可检测出待检测芯片是否处于故障状态。\n[0015] 本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。\n附图说明\n[0016] 图1为现有技术中，待检测芯片启动过程中供电电压值变化示意图；\n[0017] 图2为现有技术中，处于正常工作状态与处于故障状态的芯片的IV曲线对比示意图；\n[0018] 图3为本发明实施例中，芯片故障检测方法实施流程示意图；\n[0019] 图4为本发明实施例中，在确定出的检测点处，待检测芯片分别处于正常状态和故障状态时，第二比较器、第三比较器以及第一触发器和第二触发器的输出结果示意图；\n[0020] 图5为本发明实施例中，芯片故障检测装置的结构示意图；\n[0021] 图6为本发明实施例中，检测单元的结构示意图；\n[0022] 图7a为本发明实施例中，电流转化单元包括固定电阻和减法器的检测装置的结构示意图；\n[0023] 图7b为本发明实施例中，电流转化单元为电流传感器的检测装置的结构示意图；\n[0024] 图8为本发明实施例中，包含三个检测单元的检测装置的结构示意图。\n具体实施方式\n[0025] 为了在电子产品或者电子设备正常运行时，检测其所包含的芯片是否处于故障状态，本发明实施例提供了一种芯片故障检测方法及装置。\n[0026] 以下结合说明书附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明，并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。\n[0027] 对于芯片来说，要让其正常工作，必须提供一个工作电压Vcc，而当芯片正常运作时，其吸收电流值为Icc。但是，芯片的供电电压值并不是直接就达到其工作电压Vcc的，而是从0到Vcc随时间缓慢上升的过程，这一过程称为芯片的启动过程。\n[0028] 如图1所示，为待检测芯片启动过程中，供电电压值变化示意图，横坐标表示时间T，纵坐标表示芯片的供电电压值V，芯片的供电电压值在t0时刻达到Vb，在t1时刻达到Va，在t2时刻达到工作电压Vcc。\n[0029] 对于芯片来说，当供电电压值不同时，对应的吸收电流值也不同，且芯片的供电电压值与芯片的吸收电流值之间的对应关系符合一条特定的IV曲线。对于同一型号的芯片，由于其内部硬件架构都是相同的，所以其IV曲线也是一样的，当芯片处于故障状态时，其电流特性必然发生变化，反映在IV曲线上就是IV曲线出现异常。\n[0030] 如图2所示，为处于正常工作状态与处于故障状态的芯片的IV曲线对比示意图。\n横坐标表示芯片的供电电压值，纵坐标表示芯片的吸收电流值，其中，实线表示处于正常工作状态的芯片的供电电压值与芯片的实际吸收电流值的IV曲线，虚线表示处于故障状态的芯片的供电电压值与芯片的实际吸收电流值的IV曲线。由图2可知，随着芯片的供电电压值的升高，其吸收电流值也增大，因为对于芯片来说，供电电压值较低，其吸收电流值小于正常工作电流，这时芯片无法工作。当芯片的供电电压值逐渐达到其工作电压Vcc时，芯片的吸收电流值也逐渐增大到其工作电流Icc，芯片开始正常工作，所以芯片的IV曲线可以以上升趋势的曲线来表示。\n[0031] 从对比图2中的两条IV曲线中可以看出，当芯片的工作电压为Vcc时，无论芯片是否处于故障状态，其吸收电流值都是Icc，因此，从工作时的芯片的吸收电流值来判断芯片是否处于故障状态时不可靠的，因为，很多时候即使芯片处于故障状态，也是可以持续工作的，只是在某种特定的触发条件下，例如高温，或者低温等，才会表现出发生故障。基于上述分析，本发明实施例提供一种在芯片启动过程中，检测芯片是否处于故障状态的检测方法及装置，用以根据芯片的实际吸收电流值，判断芯片是否处于故障状态。举例说明，当芯片处于正常工作状态时，当芯片的供电电压值为Va时，芯片的实际吸收电流为Ia，考虑到实际需要，可以允许芯片的实际吸收电流值出现一定的误差率，以允许芯片的实际吸收电流出现10％的误差率为例，芯片的实际吸收电流值的取值范围为[0.9Ia，1.1Ia]，在芯片的启动过程中，若检测到芯片的实际吸收电流在[0.9Ia，1.1Ia]之间，则说明芯片处于正常工作状态，否则说明芯片处于故障状态。\n[0032] 实施例一\n[0033] 如图3所示，为本发明实施例提供的芯片故障检测方法的实施流程示意图，包括如下步骤：\n[0034] S301、在待检测芯片启动过程中，当待检测芯片的实际供电电压值达到预设的供电电压值时，确定此时为一个检测点；\n[0035] S302、检测待检测芯片在此时的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，若未处于，将该检测点确定为一个不满足条件的检测点；\n[0036] S303、当存在至少一个不满足条件的检测点时，判定该待检测芯片处于故障状态。\n[0037] 具体实施时，为了保证芯片故障检测的准确性，可以在芯片启动上电的过程中，抽取多个检测点进行检测。以抽取三个检测点为例，假设在抽取的检测点处，芯片对应的供电电压值分别为Va，Vb和Vc，判断芯片在每一个检测点的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，如果是，则说明芯片处于正常工作状态，如果否，则说明芯片处于故障状态。\n[0038] 具体实施时，在步骤302中，可以按照如下过程检测待检测芯片的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内：\n[0039] 步骤1、第一比较器的负极输入端接收在确定出的检测点处对应的供电电压值，正极输入端接收所述待检测芯片的实际供电电压值；\n[0040] 步骤2、第二比较器的负极输入端接收待检测芯片的实际吸收电流值，正极输入端接收在确定出的检测点处，规定该待检测芯片的实际吸收电流值的上限值，并通过输出端输出第一比较结果至第一触发器的D输入端；\n[0041] 步骤3、第三比较器的负极输入端接收在该检测点处，规定该待检测芯片的实际吸收电流值的下限值，正极输入端接收该待检测芯片的实际吸收电流值，并通过输出端输出第二比较结果至第二触发器的D输入端；\n[0042] 步骤4、当待检测芯片的实际供电电压值达到在该检测点处对应的供电电压值时，第一比较器触发第一触发器的Q输出端输出第一触发器的D输入端接收到的第一比较结果，并触发第二触发器的Q输出端输出第二触发器的D输入端接收到的第二比较结果；\n[0043] 步骤5、若第一触发器的Q输出端输出的第一比较结果和第二触发器的Q输出端输出的第二比较结果均为1时，确定待检测芯片的实际吸收电流值处于规定的取值范围之内；若第一触发器的Q输出端输出的第一比较结果和第二触发器的Q输出端输出的第二比较结果中，至少一个不为1时，确定待检测芯片的实际吸收电流值不处于规定的取值范围之内。\n[0044] 具体的，可以按照如下公式规定待检测芯片的实际吸收电流值的取值范围：Imax＝I*(1+r1)；Imin＝I*(1-r2)，其中：I表示在确定出的检测点处，待检测芯片处于正常工作状态时对应的实际吸收电流值；r1表示预设的、允许实际吸收电流值出现的第一误差率，r2表示预设的、允许实际吸收电流值出现的第二误差率；Imax表示在确定出的检测点处，规定待检测芯片的实际吸收电流值的上限值；Imin表示在确定出的检测点处，规定待检测芯片的实际吸收电流值的下限值。特别地，具体实施时，预设的、允许实际吸收电流值出现的第一误差率和第二误差率可以相同，即r1＝r2。为了便于描述，以下以r1＝r2＝r为例进行说明。\n[0045] 如图4所示，为在确定出的检测点处，待检测芯片分别处于正常状态和故障状态时，第二比较器和第三比较器以及第一触发器和第二触发器的输出结果示意图。以在该检测点处，芯片处于正常工作状态时，对应的电压值和电流值为(V，I)，允许实际吸收电流出现的第一误差率和第二误差率均为10％为例。其中，V1为待检测芯片处于正常工作状态时、电流为1.1I时，所对应的电压值，V2为待检测芯片处于正常工作状态时、电流为0.9I时，所对应的电压值。若待检测芯片处于故障状态，若供电电压值为V，其实际吸收电流可能远大于1.1I或者远小于0.9I。图4中，以待检测芯片在供电电压值为V时，该待检测芯片的实际吸收电流值远大于1.1I为例进行说明。由于当待检测芯片的供电电压值还未达到V时，该待检测芯片的实际吸收电流值就远远大于1.1I，因此，第二比较器和第三比较器提前发生跳变，使得当待检测芯片的供电电压值上升到V时，由于第二比较器负极输入端的输入值大于正极输入端的输入值，第三比较器的正极输入端的输入值大于负极输入端的输入值，从而使得第一触发器的Q输出端的输出为0，第二触发器的Q输出端的输出为1，这说明当待检测芯片的供电电压值达到V时，该待检测芯片的实际吸收电流值大于1.1I，则可以判定芯片处于故障状态。\n[0046] 基于同一发明构思，本发明实施例中还提供了一种芯片故障检测装置，由于该装置解决问题的原理与上述芯片故障检测方法相似，因此该装置的实施可以参见上述芯片故障检测方法的实施，重复之处不再赘述。\n[0047] 实施例二\n[0048] 本发明实施例中，对芯片故障检测装置进行说明。\n[0049] 如图5所示，为本发明实施提供的芯片故障检测装置的结构示意图，包括电流转化单元501，判定单元502和至少一个检测单元503，各检测单元503之间采用并联方式连接，其中：\n[0050] 电流转化单元501，用于将待检测芯片的实际供电电压值转化为实际吸收电流值输出；\n[0051] 每一个检测单元503，用于在待检测芯片启动过程中，当待检测芯片的实际供电电压值达到预设的供电电压值时，确定此时为一个检测点；并检测待检测芯片在此时的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，若未处于，将该检测点确定为一个不满足条件的检测点；\n[0052] 判定单元502，用于当存在至少一个不满足条件的检测点时，判定所述待检测芯片处于故障状态。\n[0053] 具体实施中，一个检测单元用于检测一个检测点处，待检测芯片的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内。也就是说，如果抽取n个检测点进行芯片故障检测的话，对应的需要有n个检测单元，各检测单元之间以并联方式连接。\n[0054] 实施例三\n[0055] 本发明实施例中，对检测单元503的具体结构进行说明。\n[0056] 如图6所示，为检测单元503的结构示意图，包括：第一比较器5031，第二比较器\n5032，第三比较器5033，第一触发器5034、第二触发器5035和确定模块5036，其中：\n[0057] 第一比较器5031的负极输入端与恒压源相连，接收在确定出的检测点处对应的供电电压值；第一比较器5031的正极输入端与待检测芯片的供电电压值相连，用于接收待检测芯片的实际供电电压值；第一比较器5031的输出端分别与第一触发器5034和第二触发器5035的CLK管脚相连，用于在待检测芯片的实际供电电压值达到在该检测点处对应的供电电压值时，触发第一触发器5034的Q输出端输出第一触发器5034的D输入端接收到的第一比较结果，并触发第二触发器5035的Q输出端输出第二触发器5034的D输入端接收到的第二比较结果；\n[0058] 第二比较器5032的负极输入端与电流转化单元501的输出端相连，用于接收电流转化单元501输出的、待检测芯片的实际吸收电流值；第二比较器5032的正极输入端与第一恒流源相连，用于接收在确定出的检测点处，规定的待检测芯片的吸收电流值的上限值，第二比较器5032的输出端与第一触发器5034的D输入端相连，用于将第一比较结果输出至第一触发器5034的D输入端；\n[0059] 第三比较器5033的负极输入端与第二恒流源相连，用于接收在确定出的检测点处，规定的待检测芯片的吸收电流值的下限值；第三比较器5033的正极输入端与电流转化单元501的输出端相连，用于电流转化单元501输出的、待检测芯片的实际吸收电流值；第三比较器5033的输出端与第二触发器5035的D输入端相连，用于将第二比较结果输出至第二触发器5035的D输入端；\n[0060] 确定模块5036，分别与第一触发器5034和第二触发器5035的Q输出端相连，用于在第一触发器5034的Q输出端输出的第一比较结果和第二触发器5035的Q输出端输出的第二比较结果均为1时，确定待检测芯片的实际吸收电流值处于规定的取值范围之内；在第一触发器5034的Q输出端输出的第一比较结果和第二触发器5035的Q输出端输出的第二比较结果中，至少一个不为1时，确定待检测芯片的实际吸收电流值不处于规定的取值范围之内。\n[0061] 具体实施中，检测单元503，可以用于按照如下公式规定实际吸收电流值的取值范围：Imax＝I*(1+r1)；Imin＝I*(1-r2)，其中：I表示在确定出的检测点处，待检测芯片处于正常工作状态时对应的吸收电流值；r1表示预设的、允许实际吸收电流值出现的第一误差率，r2表示预设的、允许实际吸收电流值出现的第二误差率；Imax表示在确定出的检测点处，规定待检测芯片的实际吸收电流值的上限值；Imin表示在选取的检测点处，规定待检测芯片的实际吸收电流值的下限值。特别地，具体实施时，预设的、允许实际吸收电流值出现的第一误差率和第二误差率可以相同，即r1＝r2。\n[0062] 需要说明的是，本发明实施例中，第一比较器5031的负极输入端接收到的输入值为设置好的稳定电压值，第二比较器5032的正极输入端以及第三比较器5033的负极输入端接收到的输入值均为提前设置好的恒定电流值，对于稳定电压或者恒定电流的产生可以直接使用恒压源或者稳压管等方式产生。\n[0063] 具体实施中，电流转化单元501，可以包括阻值为1欧姆的固定电阻5011和减法器5012，如图7a所示，为电流转化单元501包括固定电阻和减法器时，检测装置的结构示意图，图7a中以检测装置包括一个检测单元为例。其中，固定电阻5011与待检测芯片串联；\n减法器5012的一输入端与固定电阻5011的一端相连，减法器5012的另一输入端与固定电阻5011的另一端相连；减法器5012的输出端分别与第二比较器5032的负极输入端和第三比较器5033的正极输入端相连。\n[0064] 具体实施中，电流转化单元501，可以为电流传感器5013，如图7b所示，为电流转化单元501为电流传感器5013时，检测装置的结构示意图，图7b中以检测装置包括一个检测单元为例。其中，电流传感器5013一输入端与待检测芯片的供电电压值相连，电流传感器5013的另一输入端与待检测芯片相连；电流传感器5013的输出端分别与第二比较器\n5032的负极输入端和第三比较器5033的正极输入端相连。\n[0065] 为了便于理解本发明实施例的芯片故障检测原理，以下分别介绍本发明实施例中涉及的各电子器件的工作原理。减法器，减法器的输出端的输出值等效于两个输入端的输入值的差值；比较器，当比较器正极的输入值大于负极的输入值时，比较器的输出端的输出为高电平，当比较器正极的输入值小于等于负极的输入值时，比较器的输出端的输出为低电平(在数字电路中，高电平可以用1表示，低电平可以用0表示，为了便于描述，本发明实施例中以1表示高电平，以0表示低电平)；触发器，当触发器的CLK管脚接收一个有0到1的上升沿时，将触发触发器的Q输出端锁定触发器的D输入端的输入值，并输出；电流传感器，可以将电路中的电流转化为电流值输出。\n[0066] 本发明实施例提供的检测装置的检测原理如下：第一比较器5031的负极输入端接收的是在确定出的检测点处，待检测芯片正常工作时的供电电压值，假设为Va，即第一比较器5031的负极输入端接收一个电压值为Va的恒定电压值，第一比较器5031的正极输入端接收待检测芯片的实际供电电压值，在芯片的启动过程中，待检测芯片的供电电压值将逐渐上升至Va，在待检测芯片的供电电压值达到Va之前，对于第一比较器5031来说，负极输入端的输入值大于正极输入端的输入值，因此，第一比较器5031输出端的输出值为0，当待检测芯片的供电电压值达到Va后的瞬间，第一比较器5031的负极输入端的输入值小于正极输入端的输入值，因此，第一比较器5031的输出端的输出值将跳变为1，从而使得第一触发器5034和第二触发器5035的CLK管脚接收一个0到1的上升沿，使得第一触发器5034和第二触发器5035的Q输出端将锁定各自的D输入端的输入值。对于第一触发器5034和第二触发器5035的D输入端来说，其接收的输入值分别来自第二比较器5032和第三比较器5033的输出端的输出值。对于第二比较器5032来说，其负极输入端接收的输入值为电流转化单元501的输出值，以电流转化单元501包括固定电阻5011和减法器5012为例，根据减法器的原理，减法器5012的输出值为其两个输入端的输入值的差值，由于减法器5012的两个输入端分别与固定电阻5011的两端相连，使得减法器5012的两个输入端的差值为固定电阻两端的电压差值，而固定电阻的阻值为1欧姆，因此，固定电阻两端的电压差值即为通过固定电阻的电流值，由于固定电阻5011与待检测芯片串联，从而，通过固定电阻5011的电流与待检测芯片的实际吸收电流值相同，也就是说，减法器5012的输出端的输出值即为待检测芯片的实际吸收电流值，假设为I。从而，第二比较器5032的负极输入端接收的输入值为待检测芯片的实际吸收电流值I，第二比较器5032的正极输入端接收的输入值在确定出的检测点处，规定待检测芯片的实际吸收电流值的上限值，以允许待检测芯片的实际吸收电流值出现的第一误差率和第二误差率均为10％为例，第二比较器的正极输入端接收的输入值可以设置为1.1Ia，Ia为芯片处于正常工作状态的情况下，当待检测芯片的供电电压值为Va时，待检测芯片对应的实际吸收电流值。若芯片处于正常工作状态，芯片吸收的电流应该在[0.9Ia，1.1Ia]之间，从而，第二比较器5032的负极输入端的输入值小于正极输入端的输入值，因此，第二比较器5032的输出端的输出值为1，即第一触发器5034的D输入端的输入值为1，当第一触发器5034的Q输出端锁定第一触发器5034的D输入端的输入值时，第一触发器5034的Q输出端也为1；对于第三比较器5033来说，其负极输入端的输入值为在确定出的检测点处，规定待检测芯片的实际吸收电流值的下限值，以第三比较器5033负极的输入值设置为0.9Ia为例，第三比较器5033正极输入端的输入值为减法器5012的输出端的输出值，即待检测芯片的实际吸收电流值I，若待检测芯片处于正常工作状态，I处于[0.9Ia，1.1Ia]之间，因此，第三比较器5033的负极输入端的输入值小于正极输入端的输入值，从而，第三比较器5033的输出端的输出值也为1，即第二触发器5035的D输入端接收的输入值为1，当第二触发器5035的Q输出端锁定第二触发器的D输入端的输入值时，Q输出端的输出值也为1。从而，若待检测芯片处于正常工作状态，第一触发器\n5034和第二触发器5035的Q输出端的输出值均为1，也就是说第一触发器5034和第二触发器5035的Q输出端的输出值为(1，1)。\n[0067] 当待检测芯片处于故障状态时，当供电电压值达到Va时，待检测芯片的实际吸收电流值I要么大于1.1Ia，要么小于0.9Ia。以待检测芯片的实际吸收电流值大于1.1Ia为例，对于第二比较器5032来说，其负极输入端的输入值大于正极输入端的输入值，因此，第二比较器5032的输出端的输出值为0，相应的，第一触发器5034的D输入端的输入值为0，当第一触发器5034的Q输出端锁定D输入端的输入值时，使得第一触发器5034的Q输出端的输出值为0；对于第三比较器5033来说，其负极输入端的输入值小于正极输入端的输入值，因此，第三比较器5033的输出端的输出值为1，相应的，第二触发器5035的D输入端的输入值为1，当第二触发器5035的Q输出端锁定D输入端的输入值时，使得第二触发器\n5035的Q输出端的输出值为1。也就是说第一触发器5034和第二触发器5035的Q输出端的输出值为(0，1)。同理，当待检测芯片的实际吸收电流值小于0.9Ia时，第一触发器5034和第二触发器5035的Q输出端的输出值为(1，0)。从而，根据第一触发器5034和第二触发器5035的Q输出端的输出值即可判断待检测芯片是否处于故障状态。\n[0068] 具体实施中，每一个检测单元用于检测芯片在预先选取的一个检测点对应的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内。如图8所示，为包含三个检测单元的检测装置的结构示意图，图8中以电流转化单元包括固定电阻和减法器为例，相应的，在待检测芯片的启动过程中，抽取三个检测点分别进行检测，以在每个检测点处，待检测芯片的供电电压值和吸收电流值分别为(Va，Ia)，(Vb，Ib)和(Vc，Ic)为例，每个检测单元的检测过程与上述检测装置只包含一个检测单元时的检测过程相同，这里不再赘述。当检测出存在至少一个检测点处，待检测芯片的实际吸收电流值不处于规定的取值范围之内时，则可以判定该待检测芯片处于故障状态。\n[0069] 由于本发明实施例提供的芯片故障检测方法及装置能够在待检测芯片启动过程中，对待检测芯片是否处于故障状态进行检测，从而，无需包含该待检测芯片的电子产品或者电子设备停止工作，实现了在电子产品或者电子设备正常工作的前提下，检测芯片是否处于故障状态的目的。\n[0070] 本发明实施例提供的芯片故障检测方法及装置，在待检测芯片启动过程中，当该待检测芯片的实际供电电压值达到该检测点处对应的供电电压值时，确定此时为一个检测点，如果检测该待检测芯片在此时的实际吸收电流值不处于规定的取值范围之内时，将该检测点作为一个不满足条件的监测点，若存在至少一个不满足条件的检测点时，则判定该待检测芯片处于故障状态。这样，无需包含该待检测芯片的电子产品或者电子设备停止工作，在待检测芯片启动过程中即可检测出待检测芯片是否处于故障状态。\n[0071] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。