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一种AgBi(WO4)2的简便制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510351841.1
  • IPC分类号:C01G41/00
  • 申请日期:
    2015-06-23
  • 申请人:
    江南大学
著录项信息
专利名称一种AgBi(WO4)2的简便制备方法
申请号CN201510351841.1申请日期2015-06-23
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-10-21公开/公告号CN104986803A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G41/00IPC分类号C;0;1;G;4;1;/;0;0查看分类表>
申请人江南大学申请人地址
江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江南大学当前权利人江南大学
发明人董玉明;杨美芳;乔雪;张会珍;葛泽柯;申锐
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明提出一种AgBi(WO4)2的简便制备方法,属于无机材料合成领域。半导体材料由于在环境净化、太阳能以及光制氢中的广泛应用得到了人们的密切关注。AgBi(WO4)2作为一种半导体材料,与其它半导体复合后,可以获得高效的可见光催化性能。然而,有关AgBi(WO4)2纯物质的制备方法非常欠缺,传统方法需要高温煅烧十几个小时以上,耗能大、耗时长。因此,开发更加温和简便的制备方法,对于获得AgBi(WO4)2纯物质、拓展其应用是重要的。本发明提出的AgBi(WO4)2纯物质的简便制备方法,制备条件温和、过程简便,产品纯度高,为拓展该类物质的应用提供了坚实的基础。

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