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半导体结构、封装结构及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201811547550.X
IPC分类号：H01L23/498;H01L23/31
申请日期：
2018-12-18
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构、封装结构及其制造方法
申请号	CN201811547550.X	申请日期	2018-12-18
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-03-27	公开/公告号	CN110931451A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈韦廷;蔡仲豪;余振华;王垂堂
代理机构	北京派特恩知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明实施例提供了一种包括至少一个集成电路组件的半导体结构。所述至少一个集成电路组件包括第一半导体衬底及电耦合到所述第一半导体衬底的第二半导体衬底，其中所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底通过第一混合结合界面结合。所述第一半导体衬底及所述第二半导体衬底中的至少一者包括至少一个第一埋入式电容器。

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