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真空处理设备、使用该真空处理设备制造图像显示设备的方法以及由该真空处理设备制造的电子装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200880100331.5
IPC分类号：C23C14/04;C23C14/24
申请日期：
2008-03-28
申请人：
佳能安内华股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	真空处理设备、使用该真空处理设备制造图像显示设备的方法以及由该真空处理设备制造的电子装置
申请号	CN200880100331.5	申请日期	2008-03-28
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-07-28	公开/公告号	CN101790597A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/04 局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;4;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4查看分类表>
申请人	佳能安内华股份有限公司	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佳能安内华股份有限公司	当前权利人	佳能安内华股份有限公司
发明人	井上雅人;松井绅;姬路俊明
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所	代理人	刘新宇;张会华

摘要

一种真空处理设备，其使用磁性材料的掩模膜状平面和磁性材料的掩模框架来处理被处理物体，该真空处理设备的特征在于，由永电磁体吸引磁性材料的掩模，永电磁体被配置在相对于安装有被处理物体的表面与掩模相反的一侧。

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