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电流扩散层、发光二极管装置及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710108876.8
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2007-06-05
  • 申请人:
    台达电子工业股份有限公司
著录项信息
专利名称电流扩散层、发光二极管装置及其制造方法
申请号CN200710108876.8申请日期2007-06-05
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-12-10公开/公告号CN101320766
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人台达电子工业股份有限公司申请人地址
中国台湾桃园县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台达电子工业股份有限公司当前权利人台达电子工业股份有限公司
发明人王宏洲;薛清全;陈世鹏;陈朝旻;陈煌坤
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波
摘要
本发明公开了一种发光二极管装置,其包括外延叠层以及电流扩散层。外延叠层依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层。电流扩散层设置于外延叠层的第一半导体层上,且电流扩散层具有微纳米粗化结构层及透明导电层,其中微纳米粗化结构层具有多个镂空部,而透明导电层覆盖微纳米粗化结构层的表面及这些镂空部中。另外,本发明亦披露一种发光二极管装置的制造方法以及一种具有微纳米结构的电流扩散层。

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