VCSEL阵列芯片及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910066985.0
IPC分类号：H01S5/183;H01S5/34
申请日期：
2019-01-23
申请人：
扬州乾照光电有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	VCSEL阵列芯片及其制作方法
申请号	CN201910066985.0	申请日期	2019-01-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-21	公开/公告号	CN109787086A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;3;4查看分类表>
申请人	扬州乾照光电有限公司	申请人地址	江苏省扬州市邗江区下圩河路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	扬州乾照光电有限公司	当前权利人	扬州乾照光电有限公司
发明人	郭冠军;贾钊;赵炆兼;曹广亮
代理机构	北京超成律师事务所	代理人	胡上海

摘要

本发明提供了一种VCSEL阵列芯片及其制作方法，涉及VCSEL阵列芯片技术领域，包括台柱、N‑DBR层、砷化镓衬底及N面电极；N‑DBR层及N面电极分别设置在砷化镓衬底的两侧，台柱设置在N‑DBR层上；台柱为中空的圆柱形结构，台柱的中央为金属孔；相邻台柱之间相交且相邻台柱的金属孔不相交；本发明提供的VCSEL阵列芯片中相邻台柱之间相交且相邻台柱的金属孔不相交，在同样面积芯片内制作更多的台柱时，与现有技术中的台柱相比，台柱的直径较长，使得台柱上的电极的接触面积增加，电极的欧姆接触电阻减小，欧姆接触电压降低，进而降低了欧姆接触电阻的热功率，增加了阵列芯片的光输出功率，提高了光电转换效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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