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二次电池和制造该二次电池的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010530257.X
  • IPC分类号:H01M2/26;H01M2/30;H01M4/02;H01M10/04;B23K26/42;B23K26/36
  • 申请日期:
    2010-10-21
  • 申请人:
    三星SDI株式会社
著录项信息
专利名称二次电池和制造该二次电池的方法
申请号CN201010530257.X申请日期2010-10-21
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2011-05-11公开/公告号CN102054957A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M2/26IPC分类号H;0;1;M;2;/;2;6;;;H;0;1;M;2;/;3;0;;;H;0;1;M;4;/;0;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;4;;;B;2;3;K;2;6;/;4;2;;;B;2;3;K;2;6;/;3;6查看分类表>
申请人三星SDI株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星SDI株式会社当前权利人三星SDI株式会社
发明人安昶范;崔圭吉;申政淳
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司代理人罗正云;王诚华
摘要
本发明涉及一种二次电池和一种制造该二次电池的方法。一种二次电池包括通过卷绕包括正极非涂覆部分的正极板、包括负极非涂覆部分的负极板以及该正、负极板之间的隔板而形成的电极组件。所述正极非涂覆部分中的部分和所述负极非涂覆部分中的部分被移除,以分别在所述电极组件的第一端和第二端形成正极接线片和负极接线片。

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