一种多场耦合制备磁电复合材料的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310020390.4
IPC分类号：H01L43/12
申请日期：
2013-01-21
申请人：
北京科技大学

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专利名称	一种多场耦合制备磁电复合材料的方法
申请号	CN201310020390.4	申请日期	2013-01-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-24	公开/公告号	CN103066201A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/12 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;1;2查看分类表>
申请人	北京科技大学	申请人地址	北京市海淀区学院路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京科技大学	当前权利人	北京科技大学
发明人	潘德安;张深根;左志军;王姣;田建军
代理机构	北京金智普华知识产权代理有限公司	代理人	皋吉甫

摘要

一种多场耦合制备磁电复合材料的方法，涉及磁电复合材料的方法，特别是涉及力、热、磁多场耦合制备层状磁电复合材料的方法。按要求将粒度为小于250μm的稀土超磁致伸缩材料粉末与粘结剂、偶联剂按比例装入密闭容器中均匀混合，得到混合粉体；将带温控装置的成形模具升温至预订温度，并装入混合粉体，保温一段时间以后，施加5MPa预制压力；施加一定的取向磁场和一定的成形压力，保压一段时间以后，得到粘结磁体胚体；将粘结磁体胚体放入保温箱中固化一定时间得到粘结磁体；将粘结磁体和极化好的压电陶瓷片采用室温固化胶粘剂胶粘形成层状磁电复合材料；将层状磁电复合材料放入磁电测试系统中测试，得到其磁电性能。与现有技术相比，由于本发明采用了力、热、磁多场耦合方式制备磁电复合材料，可以制备择优取向的粘结磁体，有利于提高其磁电性能。

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