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一种SiC基MOS器件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920127844.0
IPC分类号：H01L29/10;H01L29/20;H01L29/24;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/34;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2019-01-25
申请人：
泰科天润半导体科技（北京）有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种SiC基MOS器件
申请号	CN201920127844.0	申请日期	2019-01-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕 H01L29/10 具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;2;4;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;4;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	泰科天润半导体科技（北京）有限公司	申请人地址	北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	泰科天润半导体科技（北京）有限公司	当前权利人	泰科天润半导体科技（北京）有限公司
发明人	张瑜洁;李昀佶;陈彤
代理机构	福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙）	代理人	王美花

摘要

本实用新型提供一种SiC基MOS器件，包括至下而上依次设置的欧姆接触电极层、SiC外延材料基片层、二维材料薄膜层、氧化物薄膜层和栅电极层。本实用新型提供的一种SiC基MOS器件，利用高迁移率、高面电导率的传输层，提高SiC基MOS器件的热稳定性和高压击穿能力。

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