半导体装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310360706.4
IPC分类号：H01L21/60;H01L21/68
申请日期：
2013-08-19
申请人：
株式会社东芝

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置的制造方法
申请号	CN201310360706.4	申请日期	2013-08-19
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-10-01	公开/公告号	CN104078372A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝,东芝存储器株式会社	当前权利人	株式会社东芝,东芝存储器株式会社
发明人	筑山慧至;福田昌利
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	陈海红;段承恩

摘要

本发明提供在将半导体芯片间用凸起电极连接并层叠时能抑制半导体芯片间的位置偏移的半导体装置的制造方法。在实施方式的半导体装置的制造方法中，取得在第一半导体芯片（2A）上层叠的第二半导体芯片（2B）的第三对准标识（5C）和移动到第二半导体芯片（4B）上的第三半导体芯片（2C）的第四对准标识（5D）的位置信息。基于在第一半导体芯片（2A）设置的第一对准标识（5A）的位置信息和第三及第四对准标识（5C）、（4D）的位置信息来将第二半导体芯片（2B）和第三半导体芯片（2C）对位并层叠。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供