制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510063890.1
IPC分类号：--
申请日期：
2005-04-07
申请人：
尔必达存储器股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法
申请号	CN200510063890.1	申请日期	2005-04-07
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-12	公开/公告号	CN1681093
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	尔必达存储器股份有限公司	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	尔必达存储器股份有限公司	当前权利人	尔必达存储器股份有限公司
发明人	小藤直行
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	陈平

摘要

一种制备半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：在SiO2层上顺序沉积多晶硅层、WN层和W层；在W层上形成掩模图案；通过使用在W和WN之间具有高蚀刻选择比的第一蚀刻气体中的等离子体来选择性蚀刻W层，通过使用在WN和Si之间具有高蚀刻选择比的第二蚀刻气体中的等离子体来选择性蚀刻WN层和多晶硅层，和通过使用在Si和二氧化硅之间具有高蚀刻选择比的第三蚀刻气体中的等离子体来选择性蚀刻多晶硅层13。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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