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CMOS栅的原子层沉积

发明专利无效专利

申请号：
CN03824408.X
IPC分类号：H01L21/28;H01L29/49;H01L21/8234;H01L21/8238
申请日期：
2003-08-21
申请人：
微米技术有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	CMOS栅的原子层沉积
申请号	CN03824408.X	申请日期	2003-08-21
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-10-26	公开/公告号	CN1689143
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人	微米技术有限公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	微米技术有限公司	当前权利人	微米技术有限公司
发明人	L·福尔贝斯;K·Y·阿恩
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	韦欣华;庞立志

摘要

本发明提供了一种用于晶体管的结构、系统和方法，所述晶体管具有通过原子层沉积形成的并具有可变功函的栅极。一个晶体管的实施方案包括第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；位于它们之间的通道区域。栅极通过栅极绝缘体与所述通道区域分开。所述栅极包括通过原子层沉积形成的三元金属导体，以为所述三元金属导体提供被设计用于提供期望阈值电压的组成。

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