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用于选择性地蚀刻电介质层的工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02828014.8
  • IPC分类号:H01L21/311
  • 申请日期:
    2002-12-05
  • 申请人:
    应用材料有限公司
著录项信息
专利名称用于选择性地蚀刻电介质层的工艺
申请号CN02828014.8申请日期2002-12-05
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-05-18公开/公告号CN1618121
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/311
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人应用材料有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人应用材料有限公司当前权利人应用材料有限公司
发明人C-L·谢;J·袁;H·陈;T·帕纳格普洛斯;Y·叶
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人赵蓉民
摘要
提供一种用于蚀刻电介质结构的方法。该电介质结构包括:(a)一层未掺杂的氧化硅或F-掺杂的氧化硅;和(b)一层C,H-掺杂氧化硅。在等离子体蚀刻步骤中,蚀刻该电介质结构,其中利用包含氮原子和氟原子的等离子体源气体进行该等离子体蚀刻步骤。作为一个实例,等离子体源气体可以包括包含一种或多种氮原子和一种或多种氟原子的气体物质(例如NF3)。作为另一个实例,该等离子体源气体可以包括(a)包含一种或多种氮原子的气体物质(例如N2)和(b)包含一种或多种氟原子的气体物质(例如CF4气体)。在该蚀刻步骤中,相对于未掺杂氧化硅或F-掺杂氧化硅层,优先蚀刻C,H-掺杂氧化硅层。例如本发明的方法可适用于双镶嵌结构。

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