集成电路

发明专利有效专利

申请号：
CN202010277871.3
IPC分类号：H01L27/092;H01L29/78;H01L29/10
申请日期：
2020-04-10
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	集成电路
申请号	CN202010277871.3	申请日期	2020-04-10
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-05	公开/公告号	CN112447712A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/092 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕 H01L27/092 互补MIS场效应晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	林义雄;邱奕勋;张尚文;蔡庆威;黄禹轩;程冠伦;王志豪
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本公开涉及集成电路。在一个实施例中，集成电路可以包含半导体基板；至少一个源极区，其包含第一掺杂半导体材料；至少一个漏极区，其包含第二掺杂半导体材料；至少一个栅极，形成于至少一个源极区及至少一个漏极区之间；以及纳米片，形成于半导体基板及至少一个栅极之间。纳米片可以配置为至少一个栅极的布线通道，且可以具有第一区域，其具有第一宽度、以及第二区域，其具有第二宽度。第一宽度可以小于第二宽度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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