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一种防电子磁吸式晶控探头

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202023206583.3
IPC分类号：C23C14/54;C23C14/35
申请日期：
2020-12-26
申请人：
长沙元戎科技有限责任公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种防电子磁吸式晶控探头
申请号	CN202023206583.3	申请日期	2020-12-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/54 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/54 镀覆工艺的控制或调节〔4〕〔4，2006.01〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人	长沙元戎科技有限责任公司	申请人地址	湖南省长沙市浏阳市经济技术开发区湘台路18号长沙E中心二期B5栋1层101号房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长沙元戎科技有限责任公司	当前权利人	长沙元戎科技有限责任公司
发明人	李伟
代理机构	石家庄领皓专利代理有限公司	代理人	张杏珍

摘要

本实用新型涉及石英晶体膜厚控制器技术领域，提出了一种防电子磁吸式晶控探头，包括基座，晶振片卡座，设置在基座上，晶振片，设置在晶振片卡座上，磁源组件，设置在基座或晶振片卡座上，磁源组件用于在晶振片外侧产生磁场阻止电子落至晶振片上。通过上述技术方案，解决了现有技术中的晶控探头应用于磁控溅射设备稳定性差的问题。

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