电容装置

实用新型专利null

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著录项信息

专利名称	电容装置
申请号	CN200420066851.8	申请日期	2004-06-16
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	杨育佳;胡正明
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	王一斌

摘要

本实用新型揭示一种形成于半导体基底上的去耦合电容装置。上述半导体基底包括一应变硅层；一实质上为平面的下电极形成于部分应变硅层中以及一电容介电层形成于下电极上；一实质上为平面的上电极形成于电容介电层之上；上述上电极连接至第一参考电压线，以及下电极连接至第二参考电压线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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