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一种集电极隔离逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811002973.3
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L21/331
  • 申请日期:
    2018-08-30
  • 申请人:
    西安理工大学
著录项信息
专利名称一种集电极隔离逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
申请号CN201811002973.3申请日期2018-08-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-01-15公开/公告号CN109216435A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人西安理工大学申请人地址
陕西省西安市金花南路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安理工大学当前权利人西安理工大学
发明人马丽;张如亮;刘红艳;张超;康源;李旖晨
代理机构西安弘理专利事务所代理人谈耀文
摘要
本发明公开了一种集电极隔离逆导型绝缘栅双极型晶体管,包括从上到下依次设置的MOS栅极区、N‑漂移区和P+集电极,P+集电极一侧依次设置有隔离区和N+短路区,隔离区将P+集电区和N+短路区隔离开;N+短路区上表面还设置有P‑stop层,N‑漂移区内还设置有N型浮置场阻止层。本发明还公开了该种一种集电极隔离逆导型绝缘栅双极型晶体管的制备方法,与常规RC‑IGBT相比,在相同结构参数下,阻断特性有所提升;正向导通特性中电压折回现象完全消除;本发明隔离区中采用Si3N4材料后,其逆向导通压降大大减小,因此具有Si3N4结构的一种集电极隔离逆导型绝缘栅双极型晶体管逆向导通功耗极大地减小。

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