快速校准雪崩光电二极管APD的反向偏压的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810554420.2
IPC分类号：H04B10/69
申请日期：
2018-06-01
申请人：
上海市共进通信技术有限公司

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著录项信息

专利名称	快速校准雪崩光电二极管APD的反向偏压的方法
申请号	CN201810554420.2	申请日期	2018-06-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-23	公开/公告号	CN108880694A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04B10/69 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04B 传输〔4〕 H04B10/30 （转入H04B10/80，H04B10/90） H04B10/60 接收机〔2013.01〕 H04B10/66 非相干接收机，例如利用直接检测的〔2013.01〕 H04B10/69 接收机中的电子装置〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;4;B;1;0;/;6;9查看分类表>
申请人	上海市共进通信技术有限公司	申请人地址	上海市徐汇区虹梅路1905号远中科研楼7楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海市共进通信技术有限公司	当前权利人	上海市共进通信技术有限公司
发明人	吕斌;蒋昌明
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁;郑暄

摘要

本发明涉及一种快速校准雪崩光电二极管APD的反向偏压的方法，该方法为调整基于DC‑DC升压电路输出的模拟电压，并在当前模拟电压满足预设基准条件时，将当前模拟电压与预设模拟电压回退值的差值作为最佳模拟电压，所述的DC‑DC升压电路与所述的雪崩光电二极管APD相连接，并为所述的雪崩光电二极管APD提供最佳反向偏压，所述的最佳反向偏压与所述最佳模拟电压的取值相等。采用了该发明中的快速校准雪崩光电二极管APD的反向偏压的方法，能快速的找到最佳的APD工作电压，成本低，而且校准效率高，至少是采用误码校准方式的五到十倍，而且这种方式校准出来的准确性能够很好的保证。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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