EEPROM存储阵列及EEPROM

发明专利有效专利

申请号：
CN201410425309.5
IPC分类号：G11C16/02;G11C16/06
申请日期：
2014-08-26
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	EEPROM存储阵列及EEPROM
申请号	CN201410425309.5	申请日期	2014-08-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-11-19	公开/公告号	CN104157306A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;2;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	胡剑;杨光军
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华;吴敏

摘要

一种EEPROM存储阵列及EEPROM，所述EEPROM包括：存储阵列；行译码电路，适于提供8V～9V电压至与待擦除存储单元连接的字线，提供‑6V～‑8V电压至与待擦除存储单元连接的第一控制栅线和第二控制栅线，提供0V电压至未与待擦除存储单元连接的第一控制栅线、第二控制栅线以及字线；列译码电路，适于提供偏置电压至与待擦除存储单元连接的位线、源线以及待擦除存储单元所在子存储阵列的P型阱区，提供0V电压至未与待擦除存储单元连接的位线、源线以及除待擦除存储单元所在子存储阵列之外的子存储阵列的P型阱区，所述偏置电压的电压值为负。本发明提供的EEPROM存储阵列及EEPROM，提高了存储器的耐久性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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