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一种产生超强太赫兹辐射的装置及方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710117813.9
  • IPC分类号:H01S3/108;H01S3/098;H01S3/081
  • 申请日期:
    2007-06-25
  • 申请人:
    中国科学院物理研究所
著录项信息
专利名称一种产生超强太赫兹辐射的装置及方法
申请号CN200710117813.9申请日期2007-06-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-12-31公开/公告号CN101335425
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01S3/108IPC分类号H;0;1;S;3;/;1;0;8;;;H;0;1;S;3;/;0;9;8;;;H;0;1;S;3;/;0;8;1查看分类表>
申请人中国科学院物理研究所申请人地址
北京市海淀区中关村南三街8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院物理研究所当前权利人中国科学院物理研究所
发明人盛政明;武慧春;张杰
代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司代理人高存秀
摘要
本发明涉及一种产生高功率太赫兹辐射的装置及方法,其装置包括一气体填充管;一电离激光器,用于输出电离激光脉冲,以在所述气体填充管中形成真空层和电离气体层;以及一泵浦激光器;用于输出泵浦激光脉冲,以激发出多个相干的太赫兹辐射并最终叠加成一个超强太赫兹辐射。本发明具有如下技术效果:本发明采用的等离子体本身是完全电离的准中性介质,不存在被入射激光损坏的阈值,可以产生100MW量级的THz辐射;通过两个入射激光脉冲间适当时间延迟控制,来控制腔管内气体密度的分布,使腔管内产生的单周期太赫兹脉冲实现相干叠加放大,产生准单周期的THz脉冲;转换效率大幅提高,并且可在台面尺度产生超强THz辐射。

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