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一种提高萤石型离子导体膜材料氧通量的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410765622.3
  • IPC分类号:B01D71/02;B01D67/00;B01D53/22
  • 申请日期:
    2014-12-12
  • 申请人:
    南京工业大学
著录项信息
专利名称一种提高萤石型离子导体膜材料氧通量的方法
申请号CN201410765622.3申请日期2014-12-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-05-20公开/公告号CN104624063A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01D71/02IPC分类号B;0;1;D;7;1;/;0;2;;;B;0;1;D;6;7;/;0;0;;;B;0;1;D;5;3;/;2;2查看分类表>
申请人南京工业大学申请人地址
江苏省南京市浦口区浦珠南路30号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京工业大学当前权利人南京工业大学
发明人邵宗平;张振宝;陈登洁;杨漂萍;陈嘉玮
代理机构南京天华专利代理有限责任公司代理人徐冬涛;袁正英
摘要
本发明涉及一种提高萤石型离子导体膜材料氧通量的方法,将具有高电子导电能力的物质通过高能机械球磨的方法添加到萤石型离子导体膜材料中,形成表达式为M0+M1混合的多相透氧膜材料;其中萤石型离子导体膜材料M0的结构式为AxB1‑xO2‑δ,A位阳离子为稀土金属离子的一种或几种,B位阳离子为与A位阳离子不同稀土金属离子中的一种或几种,0.1

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